INDUSTRY APPLICATION

行業應用

    納米氧化鋅是一種n型半導體,其帶隙為3.3-3.6eV,室溫下激子束縛能為60meV,在常溫下納米氧化鋅具有良好的發光功能,同時納米氧化鋅也具有光電導性和光催化活性,在納米器件諸如發光二極管、光電二極管、波導器件、氣體傳感器和光電池等方面有良好的應用前景。

產品特性

1、顆粒細且粒徑均勻,在電子產品中具有良好的機電耦合性,可大大降低電子元件物理參數的偏差。
2、純度高,銅、錳、鐵等雜質元素含量甚微,幾乎不對電子產品精度及性能產生負面影響。
3、能提高電子產品的均一性和導磁率,同時具有較好的抗氧化性、抗腐蝕能力以及環保性。

項目指標
  • 項目Ⅰ類 Ⅱ類Ⅲ類
  • 氧化鋅含量(ZnO w%)≥99.0≥97.0≥95.0
  • 電鏡平均粒徑(nm)≤100≤100.0≤100
  • 比表面積(m2/g)≥15≥15≥15
  • 團聚指數≤100≤100≤100
  • 鉛含量(Pb w%)≤0.001≤0.001≤0.001
  • 錳含量(Mn w%)≤0.001≤0.001≤0.001
  • 銅含量(Cu w%)≤0.0005≤0.0005≤0.003
  • 鎘含量(Cd w%)≤0.0015≤0.005≤0.005
  • 105℃揮發物(w%)≤0.5≤0.5≤0.5
  • 灼燒減量(w%)N/A≤2.0≤4.0
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